特許

J-GLOBAL ID：200903086553158050

インターポーザ基板、半導体装置、半導体モジュール、電子機器および半導体モジュールの製造方法

発明者： 山口 浩司
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-015518
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228393
出願日： 2003年01月24日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

【課題】端子電極の配置位置が異なる場合においても、チップサイズの限定を伴うことなく、半導体チップを積層できるようにする。【解決手段】インターポーザ基板1にスリット1aを形成し、ス半導体チップ4の辺に沿うようにして、半導体チップ4の搭載領域外にリット1aを配置する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板に設けられたパッド電極と、 前記パッド電極の位置に対応して設けられた貫通電極と、 前記半導体基板上に設けられ、前記貫通電極と異なる位置に設けられた再配置領域と、 前記再配置領域と前記貫通電極とを接続する配線層とを備えることを特徴とするインターポーザ基板。

IPC (5件)：

H01L25/065 ,  H01L23/12 ,  H01L23/32 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (3件)：

H01L25/08 Z ,  H01L23/12 501B ,  H01L23/32 D