特許

J-GLOBAL ID：200903086553551347

電界効果型半導体装置

発明者： 中山 達峰
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 五十嵐 省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-192945
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037293
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 歪み層厚が臨界膜厚を越えたとき発生する転位を抑制し、また、発生した転位による移動度劣化を抑制し、高周波特性にすぐれた電界効果型半導体装置を提供すること。【構成】 [1,0,0]方向から[0,1,1]方向に0.8°傾斜したInP傾斜基板1’上にInAs組成比0.8のInGaAs層3’を20nmを成長し、かつソース電極7S’、ゲート電極7G、ドレイン電極7Dを[0,1,-1]方向に電流が流れるように配置する。

請求項（抜粋）：

表面が[1,0,0]方向から[0,1,1]方向もしくは[0,-1,-1]方向に約0.8°から約4°傾斜した傾斜基板(1’)と、該傾斜基板上に形成された歪み層を含む結晶層(3’)とを具備し、該結晶層の[0,-1,1]方向もしくは[0,1,-1]方向にソースードレイン電流を流すようにした電界効果型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20