特許

J-GLOBAL ID：200903086555596445

半導体レーザ装置

発明者： 水落 均 ,  園田 琢二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-123749
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334259
出願日： 1993年05月26日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 しきい値電流等のレーザ特性の優れた埋め込みヘテロ型の半導体レーザ装置を得る。【構成】 p型InP基板1上に配置されメサストライプ形状に成形されたInGaAsP活性層2を含む半導体積層構造の側面上に、InP層41とInPより禁制帯幅の大きいInGaAsからなる層42を交互に積層してなるp型歪超格子層40を備えた構成とした。【効果】 埋込ヘテロ構造の半導体レーザのリーク電流低減できるとともに、光閉じ込め作用を強くでき、レーザ特性を向上できる。

請求項（抜粋）：

埋め込みヘテロ型の半導体レーザ装置において、第1導電形のInP基板上に配置されメサストライプ形状に成形されたInGaAsP活性層を含む半導体積層構造と、上記メサストライプ形状の半導体積層構造の側面上に配置された、InP層とInPより禁制帯幅の大きい半導体材料からなる層を交互に積層してなる、第1導電形もしくはアンドープの歪超格子層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。