特許

J-GLOBAL ID：200903086556338610

半導体素子の製造方法

発明者： 小嶋 数明
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-067267
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275430
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 基板に侵入した重金属イオンに起因するリーク電流の増大や耐圧の低下を防止する。【構成】 P型のシリコン基板10上に設定された活性領域内にチャネル分離領域となるLOCOSを形成し、このチャネル分離領域の間にN型の拡散領域を形成した後、絶縁膜を介して多層の転送電極を形成して受光部1、蓄積部2及び水平転送部3を形成する。ここで、チャネル分離領域を形成した後には、P型の不純物であるB+イオンを注入し、活性領域を取り囲むようにしてP型の高濃度領域5を形成する。これにより、高濃度領域5がゲッタリグサイトとして働き、活性領域内の重金属イオンが活性領域外に排除される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面上の特定範囲を活性領域とし、この活性領域内の適数個所に上記半導体基板と逆の導電型あるいは同一の導電型を有する不純物領域を形成すると共に、この不純物領域と対応付けられる複数の電極を絶縁膜を介して形成する半導体素子の製造方法において、上記活性領域を除いた上記半導体基板の一主面の少なくとも一部分に、上記半導体基板と同一の導電型を有する不純物イオンを1乃至複数回注入して高濃度領域を形成し、重金属イオンを偏析させる工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/148

FI (2件)：

H01L 27/10 325 U ,  H01L 27/14 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-136531
  
• 特開平1-241768
  
• 特開昭63-184342
  
• 特開平4-095372