特許
J-GLOBAL ID：200903086556980290
光学単結晶膜の製造方法、光学単結晶膜および光学部品
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350104
公開番号（公開出願番号）：特開平10-194900
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：
【要約】【課題】遷移金属を含む溶融体から液相エピタキシャル法によって光学単結晶膜を製造するのに際して、広い範囲の波長領域の光、特に青色光長域の光に対する光吸収係数を減少させる。【解決手段】遷移金属を含む溶融体から液相エピタキシャル法によって光学単結晶のエピタキシャル膜を単結晶基板上に形成する。オゾンを含有する雰囲気中でエピタキシャル膜を所定温度でアニール処理する工程、所定温度への昇温工程および所定温度からの降温工程を備えている。昇温工程と降温工程との少なくとも一方において、エピタキシャル膜をオゾンを実質的に含有しない雰囲気中に暴露させる。好ましくは、遷移金属がバナジウムである。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に光学単結晶膜を製造する方法であって、遷移金属を含む溶融体から液相エピタキシャル法によって前記光学単結晶のエピタキシャル膜を前記単結晶基板上に形成する液相エピタキシャル工程、オゾンを含有する雰囲気中で前記エピタキシャル膜を所定温度でアニール処理する工程、前記所定温度への昇温工程および前記所定温度からの降温工程を備えており、前記昇温工程と前記降温工程との少なくとも一方において、前記エピタキシャル膜をオゾンを実質的に含有しない雰囲気中に暴露させることを特徴とする、光学単結晶膜の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 33/00
, C30B 19/02
, C30B 29/30
, G02B 6/13
, G02F 1/37
C30B 33/00
, C30B 19/02
, C30B 29/30 A
, G02F 1/37
, G02B 6/12 M
