特許
J-GLOBAL ID：200903086557239291
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125608
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321956
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 通電中の発熱による素子寿命の短縮を回避可能な半導体装置を得る。【解決手段】 発光素子である半導体装置は、タングステン(W)、プラチナ(Pt)、クロム(Cr)等の融点が1300°C以上である高融点金属基板1と、この高融点基板1上に形成されたAlGaNバッファ層2と、バッファ層2上に形成されたn型GaNコンタクト層3と、n型コンタクト層3上に形成されたn型Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0≦x<1)クラッド層4と、n型クラッド層4上に形成されたIn<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0≦y<1)活性層5と、活性層5上に形成されたp型Al<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>N(0≦z<1)クラッド層6と、p型クラッド層6上に形成されたp型GaNコンタクト層7と、p型コンタクト層7上に形成されたp型電極12とを具備するものである。
請求項（抜粋）：
金属上に形成された窒化ガリウム系の化合物半導体層を備えた半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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