特許

J-GLOBAL ID：200903086560629580

堆積膜の形成方法及び形成装置

発明者： 佐野 ひとみ ,  藤岡 靖 ,  酒井 明 ,  幸田 勇蔵 ,  矢島 孝博 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-361620
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183383
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、基板上に、薄膜が大きな堆積速度で形成でき、得られた膜は高い光電変換効率を有し、均一性に優れ、欠陥が少なく、光劣化しにくいという特徴を兼ね備えた、堆積膜の形成方法及び形成装置を提供する。【解決手段】 本発明に係る第1の堆積膜の形成方法は、反応容器の放電空間内へ材料ガスを導入し、高周波電力を印加して該材料ガスをプラズマ放電によって分解し、基板上に非単結晶半導体薄膜を形成する堆積膜の形成方法において、前記基板の上に前記非単結晶半導体薄膜を所定の膜厚堆積させた後、該非単結晶半導体薄膜の表面に対して、前記放電空間内で、正電位のカソード電極による水素プラズマ処理を、次いで負電位のカソード電極による水素プラズマ処理を順に行い、その後、前記水素プラズマ処理が施された該非単結晶半導体薄膜の表面上に、さらに非単結晶半導体薄膜を堆積させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

反応容器の放電空間内へ材料ガスを導入し、高周波電力を印加して該材料ガスをプラズマ放電によって分解し、基板上に非単結晶半導体薄膜を形成する堆積膜の形成方法において、前記基板の上に前記非単結晶半導体薄膜を所定の膜厚堆積させた後、該非単結晶半導体薄膜の表面に対して、前記放電空間内で、正電位のカソード電極による水素プラズマ処理を、次いで負電位のカソード電極による水素プラズマ処理を順に行い、その後、前記水素プラズマ処理が施された該非単結晶半導体薄膜の表面上に、さらに非単結晶半導体薄膜を堆積させることを特徴とする堆積膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/20

FI (5件)：

H01L 31/04 T ,  B01J 19/08 F ,  B01J 19/08 H ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/04 W

Fターム (23件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BA05 ,  4G075CA15 ,  4G075CA47 ,  4G075CA51 ,  4G075EC21 ,  4G075FB02 ,  4G075FB04 ,  4G075FC11 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051CA16 ,  5F051CA22 ,  5F051CA23 ,  5F051CA24 ,  5F051CA32 ,  5F051DA18 ,  5F051GA02 ,  5F051HA20 ,  5F052KA05