特許

J-GLOBAL ID：200903086560872663

プラズマCVD装置

発明者： 師岡 久雄 ,  松瀬 充貴 ,  篠原 久人
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-005469
公開番号（公開出願番号）：特開2001-192837
出願日： 2000年01月14日
公開日（公表日）： 2001年07月17日
要約：

【要約】【課題】 プラズマCVD装置において、基板表面以外への膜付着を抑制することにより、稼働率を向上させる。【解決手段】 陰極と基板との間にプラズマを発生させ、このプラズマにより反応ガスを分解して基板表面に薄膜を形成する装置であって、磁場発生手段を有し、この磁場発生手段が発生する磁場を少なくとも利用して、基板近傍に限定してプラズマが存在するようにプラズマを閉じ込めるプラズマCVD装置。

請求項（抜粋）：

陰極と基板との間にプラズマを発生させ、このプラズマにより反応ガスを分解して基板表面に薄膜を形成する装置であって、磁場発生手段を有し、この磁場発生手段が発生する磁場を少なくとも利用して、基板近傍に限定してプラズマが存在するようにプラズマを閉じ込めるプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M

Fターム (26件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030FA03 ,  4K030HA06 ,  4K030KA30 ,  4K030KA34 ,  5F045AA08 ,  5F045AA10 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AB07 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH16 ,  5F045EH19