ハーフトーン型位相シフトマスク及び合わせずれ測定マークの測定方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-172990
公開番号（公開出願番号）：特開2000-010254
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】リソグラフィー工程において、合わせずれ測定マークの開口部周辺のディンプルパターンがウエハ位置測定の誤差を生じる現象を回避する。【解決手段】本発明はハーフトーン型位相シフトマスクを用いたリソグラフィー工程において、半導体基板上のレジスト膜に形成される合わせずれ測定マークの開口部周辺に生じるディンプルパターンが、ウエハアライメントマークや合わせずれ測定マークの検出信号に影響を与えないようにするために、前記開口部を形成するスペースパターンを少なくとも2個以上並べて配置し、パターンとパターンとの間に形成されたレジストラインから発生する信号を検出して、前記ディンプルパターンによる誤検出を防ぐことができる合わせずれ測定マークを備えたハーフトーン型位相シフトマスクと、前記合わせずれ測定マークの測定方法を提供する。

請求項（抜粋）：

合わせずれ測定マークを具備するハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、マスク基板上のハーフトーン膜に形成された少なくとも1個のラインパターンと、前記少なくとも1個のラインパターンに隣接し、前記ラインパターンの長手方向に沿って平行に形成された少なくとも2個の同一幅のスペースパターンと、からなる合わせずれ測定マークを備えることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。

IPC (4件)：

G03F 1/08 , G01B 11/00 , G03F 9/00 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 1/08 A , G01B 11/00 C , G03F 9/00 H , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 502 M , H01L 21/30 528

Fターム (21件)：

2F065AA20 , 2F065BB23 , 2F065BB28 , 2F065CC17 , 2F065DD04 , 2F065FF48 , 2F065NN02 , 2F065NN20 , 2F065QQ28 , 2H095BB03 , 2H095BD06 , 2H095BD24 , 2H095BE03 , 2H095BE08 , 2H095BE09 , 5F046AA25 , 5F046BA08 , 5F046EA03 , 5F046EA04 , 5F046EA09 , 5F046EB02

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