化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：鈴木俊一郎 , 牧村浩次 , 高畑ちより , 鈴木亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-013148
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236275
出願日： 2005年01月20日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：

【課題】研磨速度を低下させることなく、研磨傷を低減することができる化学機械研磨用水系分散体、および微細化素子分離工程における余分の絶縁膜を除去することができる、上記研磨用水系分散体を用いた化学機械研磨方法を提供すること。【解決手段】セリアを含む砥粒(A)、アニオン性水溶性高分子(B)およびカチオン性界面活性剤(C)を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、アニオン性水溶性高分子(B)の含有量が、セリアを含む砥粒(A)100質量部あたり60〜600質量部であり、カチオン性界面活性剤(C)の含有量が化学機械研磨用水系分散体全体に対して0.1〜100ppmであることを特徴とする化学機械研磨用水系分散体。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

セリアを含む砥粒(A)、アニオン性水溶性高分子(B)およびカチオン性界面活性剤(C)を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、アニオン性水溶性高分子(B)の含有量が、セリアを含む砥粒(A)100質量部あたり60〜600質量部であり、カチオン性界面活性剤(C)の含有量が化学機械研磨用水系分散体全体に対して0.1〜100ppmであることを特徴とする化学機械研磨用水系分散体。

IPC (3件)：

H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14

FI (5件)：

H01L21/304 622D , H01L21/304 622X , B24B37/00 H , C09K3/14 550D , C09K3/14 550Z

Fターム (5件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058CB02 , 3C058DA12 , 3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-132978 出願人：株式会社東芝
酸化セリウム研磨剤及び基板の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-077814 出願人：日立化成工業株式会社, 株式会社日立製作所
CMP研磨剤及び基板の研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-286351 出願人：日立化成工業株式会社

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審査官引用 (1件)

化学機械研磨用水系分散体
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-388557 出願人：ジェイエスアール株式会社

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