III族窒化物系化合物半導体の製造方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-367613
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185493
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】貫通転位の軽減されたIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。【解決手段】マスク4を用いて、第1のIII族窒化物系化合物半導体層31を点状、ストライプ状又は格子状等の島状態にエッチングし、段差を設ける。こうして、段差の上段の上面のマスク4を除かずに、側面を核として、マスク4上にはエピタキシャル成長しない第2のIII族窒化物系化合物半導体32を縦及び横方向エピタキシャル成長させることで段差部分を埋めつつ、上方にも成長させることができる。このとき第2のIII族窒化物系化合物半導体32が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、III族窒化物系化合物半導体層31が有する貫通転位の伝搬が抑制され、埋められた段差部分に貫通転位の軽減された領域を作ることができる。

請求項（抜粋）：

III族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長により得るIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、マスクを用い、少なくとも1層のIII族窒化物系化合物半導体から成り、最上層を第1のIII族窒化物系化合物半導体とする基底層を点状、ストライプ状又は格子状等の島状態にエッチングする工程と、前記エッチングにより形成された点状、ストライプ状又は格子状等の島状態の前記基底層の段差の上段の上面の前記マスクを有したまま、側面を核として、前記マスク上にはエピタキシャル成長しない第2のIII族窒化物系化合物半導体を縦及び横方向エピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323

Fターム (53件)：

5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F045AA02 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AA10 , 5F045AA18 , 5F045AB14 , 5F045AB40 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA05 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045CB01 , 5F045CB02 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DA55 , 5F045DA63 , 5F045DA64 , 5F045EH17 , 5F045HA02 , 5F073AA45 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA25 , 5F073DA35 , 5F073EA29

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