半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258246
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112436
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、セルサイズを大きくすることなくTATの更なる短縮化を実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】ドレイン拡散層5bと接続される複数本のビット線8が略平行に形成され、該ビット線8に対して略垂直方向に形成されるとともに、ソース拡散層5aと接続される複数本のグランド線11が略平行に形成され、該ビット線8に対して略垂直方向に形成されるとともに、該グランド線11を挟むように複数本のワード線4が略平行に形成され、ROMデータの書き込みが該グランド線11の該ソース拡散層5aへの接続の有無で行われてなるように構成する。

請求項（抜粋）：

ドレイン拡散層(5b)と接続される複数本のビット線(8)が略平行に形成され、該ビット線(8)に対して略垂直方向に形成されるとともに、ソース拡散層(5a)と接続される複数本のグランド線(11)が略平行に形成され、該ビット線(8)に対して略垂直方向に形成されるとともに、該グランド線(11)を挟むように複数本のワード線(4)が略平行に形成され、ROMデータの書き込みが該グランド線(11)の該ソース拡散層(5a)への接続の有無で行われてなることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-105798
特開昭60-158660
特開平3-105798

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