特許

J-GLOBAL ID：200903086582324740

液晶表示装置

発明者： 小林 道哉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-003062
公開番号（公開出願番号）：特開平6-208134
出願日： 1993年01月12日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 TFTのゲート絶縁膜の耐圧低下や蓄積容量の電気容量値の低下などを避けて、輝度が高く表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。【構成】 蓄積容量105が形成される部分に開けられた第1の層間絶縁膜109および第2の層間絶縁膜131の開口を通して、第1の電極107上に誘電体111が形成される。したがってTFT113のゲート絶縁膜117と蓄積容量105の誘電体111とは、その材質や膜厚などを独立に設定することができるのでTFT113の寸法を微細化しつつ耐圧特性を最適に設定できるとともに蓄積容量105の寸法を微細化しつつその容量値を最適に設定することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に複数の走査配線および複数の信号配線と、該走査配線および該信号配線に接続されるスイッチング素子と、該スイッチング素子に接続される画素電極とを有するスイッチング素子アレイ基板と、前記スイッチング素子アレイ基板に間隙を有して対向配置される対向電極が配設された対向基板と、前記スイッチング素子アレイ基板と前記対向基板との間に封入される液晶組成物とを有する液晶表示装置において、前記基板上に導電性膜で形成された前記蓄積容量の第1の電極と、前記蓄積容量が形成される部分を避けて形成されて、該蓄積容量が形成される部分に開口が開けられた絶縁層と、前記絶縁層の開口から露出した前記第1の電極上に形成された前記蓄積容量の誘電体層と、前記誘電体層上に形成され、該誘電体層を介して前記第1の電極と対向する前記蓄積容量の第2の電極とを具備することを特徴とする液晶表示装置。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-336530
  
• 特開平3-039722
  
• 特開平3-274029
  
• 特開平4-020935