特許

J-GLOBAL ID：200903086582732717

半導体装置およびその製造方法

発明者： 鳥居 和功 ,  武田 英次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267183
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120423
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】分極反転、誘電率の温度変化よる信頼性低下の問題を回避し、小面積かつ、大容量のキャパシタを備えた半導体装置を提供する。【構成】固溶体(xBaZrO3・(1-x) PbTiO3)で、BaZrO3が45%以上含まれる固溶体薄膜をキャパシタ絶縁膜として用いる。【効果】構造の簡単で小面積のキャパシタで十分な蓄積電荷量を確保することが出来るので、キャパシタを備えた半導体装置の高集積化を容易に実現できる。

請求項（抜粋）：

一般的化学式ABO3で表わされるペロブスカイト型化合物において、A原子としてバリウムと鉛を、B原子としてチタンとジルコニウムを含む固溶体の薄膜で、-20°Cから150°Cの温度範囲で常誘電体である薄膜を絶縁膜に用いたキャパシタを持つことを特長とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/10 311 ,  H01L 27/108