特許

J-GLOBAL ID：200903086584075772

高純度金属Si及び高純度SiOの製造方法

発明者： 松崎 均 ,  長尾 元裕 ,  坂本 浩一 ,  草道 龍彦
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 小谷 悦司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288519
公開番号（公開出願番号）：特開2001-039708
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年02月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体用SiやMG-Si等の高純度原料を用いなくとも、太陽電池用Si又はその原料として適用できる99.5%以上の高純度金属Si及び高純度SiOを製造することができる方法を提供する。【解決手段】 高純度金属Siを製造するにあたっては、SiO2を主成分とする原料から金属Siを製造する方法において、炭素系物質を還元剤として用い上記原料を1500°C以上に加熱することによりSiO含有ガスを発生させる工程と、前記SiO含有ガスの冷却固化物を再加熱して気化させるSiOの精製工程と、上記精製されたSiOの固化物を、還元剤を用いてSiに還元する工程とを含む方法を採用する。

請求項（抜粋）：

SiO2を主成分とする原料から金属Siを製造する方法であって、炭素系物質を還元剤として用い上記原料を1500°C以上に加熱することによりSiO含有ガスを発生させる工程と、前記SiO含有ガスの冷却固化物を再加熱して気化させるSiOの精製工程と、上記精製されたSiOの固化物を、還元剤を用いてSiに還元する工程とを含むことを特徴とする高純度金属Siの製造方法。

IPC (2件)：

C01B 33/023 ,  C01B 33/113

FI (2件)：

C01B 33/023 ,  C01B 33/113 A

Fターム (20件)：

4G072AA01 ,  4G072AA24 ,  4G072BB05 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH13 ,  4G072HH14 ,  4G072HH33 ,  4G072HH36 ,  4G072JJ01 ,  4G072JJ02 ,  4G072LL01 ,  4G072MM01 ,  4G072MM03 ,  4G072MM08 ,  4G072RR04 ,  4G072RR11 ,  4G072TT19 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02