特許

J-GLOBAL ID：200903086584207555

薄膜回路用表面処理AlN基板

発明者： 豊田 誠司 ,  菅村 邦夫 ,  黒光 祥郎 ,  中林 明
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-261162
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235742
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】 表面平滑性、耐湿性、耐食性が良好な薄膜回路用AlN基板を提供する。【構成】 AlN焼結体11の表面にAl2O3からなる表面酸化層12を形成し、この表面酸化層12上にSiO2,Al2O3,B2O3,PbOを主成分とする層13を積層する。または、AlN焼結体11表面に直接この層13を積層する。さらに、この層13にSiO2層14を積層する。層13の融点Tmおよび熱膨張係数αgを適切に設定する。例えばαg>4.4×10-6のときは、Tm(Tm-25)・(αg-4.4×10-6)≦10とする。αg≦4.4×10-6のときは、Tm(Tm-25)・(4.4×10-6-αg)≦12とする。この結果、SiO2層およびAlN基板との間の残留応力を緩和することができる。

請求項（抜粋）：

AlN基板の表面に、Al2O3、SiO2、TiO2のうちの少なくともいずれか1種を主成分とする層を形成したことを特徴とする薄膜回路用表面処理AlN基板。

IPC (3件)：

H05K 1/03 ,  H01L 23/15 ,  H05K 3/38