半導体素子の配線基板への接続方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323026
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183330
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高速信号あるいは大電流の信号を半導体素子と配線基板との間でやり取りすることが可能な半導体素子の配線基板への接続方法を提供する。【構成】信号伝送線用電極パッド12上に半田電極19の半田組成より低温で溶融する半田ボール20を搭載する工程と、不活性雰囲気中にて半田ボール20を加熱溶融することにより半田バンプ18を形成する工程と、半導体素子11をフェイスダウンして、配線基板14上に半田漏れ金属で形成した電極パッド16,17に位置合わせする工程と、不活性雰囲気中で半田バンプ18を加熱溶融して信号伝送線電極同士を接続し、次に、半田電極19を加熱溶融してグランド電極同士を接続し、該半田電極19の溶融半田の表面張力により先に接続した半田バンプ18は縦に引き伸ばされ、鼓型の半田バンプ18aを形成する工程とを施す。

請求項（抜粋）：

半導体素子を配線基板にフェイスダウンして半田にて接続する半導体素子の配線基板への接続方法において、(a)半導体素子には、信号伝送線用電極パッドと、それを取り囲むとともに、該信号伝送線用電極パッド以外の回路パターン領域を含む半導体素子の表面全面にグランド電極パッドを形成する工程と、(b)該グランド電極パッド上に、予め成型した半田合金ペレットを搭載する工程と、(c)不活性雰囲気中にて前記半田合金ペレットを加熱溶融させ、半田電極を形成する工程と、(d)前記信号伝送線用電極パッド上に前記半田電極の半田組成より低温で溶融する半田ボールを搭載する工程と、(e)不活性雰囲気中にて前記半田ボールを加熱溶融することにより、半田バンプを形成する工程と、(f)前記半導体素子をフェイスダウンして、配線基板上に半田漏れ金属で形成した電極パッドに位置合わせする工程と、(g)不活性雰囲気中で前記半田バンプを加熱溶融して信号伝送線電極同士を接続し、次いで、前記半田電極を加熱溶融してグランド電極同士を接続し、該半田電極の溶融半田の表面張力により先に接続した半田バンプが縦に引き伸ばされた鼓型の半田バンプを形成する工程とを施すことを特徴とする半導体素子の配線基板への接続方法。

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