特許

J-GLOBAL ID：200903086592480589

GaN系結晶の製造方法

発明者： 宮下 啓二 ,  岡川 広明 ,  大内 洋一郎 ,  只友 一行
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-002344
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199815
出願日： 1997年01月09日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 高品質のGaN系結晶を容易に製造し得る新規な製造方法を提供することにある。【解決手段】 第三b族元素の酸リチウムや第二族元素の酸化物のような化学分解性材料からなる基板の上に該基板が分解しない条件下にInGaAlNの保護層を成長し、更にその上に該基板が分解する条件下にInGaAlNの結晶層を成長することを特徴とするGaN系結晶の製造方法。【効果】 高品質且つ大面積のGaN系基板を容易にしかも高歩留りにて製造することができる。このGaN系基板は、青色発光素子の製造に好適である。

請求項（抜粋）：

化学分解性材料からなる基板の上に該基板が分解しない条件下にInX GaY AlZ N(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)の保護層を成長し、更にその上に該基板が分解する条件下にInXGaY AlZ N(ここに0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)の結晶層を成長することを特徴とするGaN系結晶の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C