特許
J-GLOBAL ID：200903086593929490
結晶成長用種板の製造方法およびこれによる単結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-159032
公開番号（公開出願番号）：特開平9-124393
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年05月13日
要約：
【要約】【課題】 完成度の高い単結晶性を高品質大型単結晶を製造するための結晶成長用種板の製造方法とこれを用いた大型単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】 (a)結晶学的配向性を有する複数個の単結晶ウエファからなる種板上に、幾何学的パターンを有するマスキング層を形成させる工程と、(b)該種板の表面を選択的に露出させるためのエッチング工程と、(c)種板材料と該マスキング層の残留部分からなる複数個の核生成構造を形成するために該種既科学的パターン露出表面をエッチングし、該種板から突出させる工程と、(d)単結晶成長用の複数の核生成構造を有する種板を回収する工程からなる結晶成長用種板の製造方法とこれを用いたCVD法による大型単結晶の製造方法である。
請求項（抜粋）：
単結晶成長用種板を得るに際して、(a) 結晶学的配向性を有する複数個の単結晶ウエファからなる種板上に、幾何学的パターンを有するマスキング層を析出させる工程と、(b) 該種板の表面を選択的に露出させるためのエッチング工程と、(c) 種板材料と該マスキング層の残留部分からなる複数個の核生成構造を形成するために該種板の幾何学的パターン露出表面をエッチングし、該種板から突出させる工程と、(d) 単結晶成長用の複数の核生成組織を有する種板を回収する工程と、からなることを特徴とする結晶成長用種板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 25/18
, C30B 25/20
, C30B 33/08
, H01L 21/205
C30B 25/18
, C30B 25/20
, C30B 33/08
, H01L 21/205
