特許

J-GLOBAL ID：200903086600711803

電極基板および電極基板の作製方法

発明者： 藤川 隆 ,  小倉 雅史 ,  片岡 義晴
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-012526
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345024
出願日： 2001年01月19日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】 有機絶縁膜上に形成された透明導電膜と無機絶縁膜上に形成される透明導電膜を同時に精度良くエッチングする。【解決手段】 本発明の電極基板の作製方法は、同一面側に有機絶縁膜49からなる有機絶縁膜領域と無機絶縁膜144からなる無機絶縁膜領域とを有する該電極基板において、該有機絶縁膜領域および該無機絶縁膜領域に接して透明導電膜を形成し、該有機絶縁膜領域に接する該透明導電膜の結晶粒径を20nm以上50nm以下にする工程と、該有機絶縁膜領域および該無機絶縁膜領域に接する該透明導電膜を同時にエッチングする工程と、を包含する。

請求項（抜粋）：

電極基板の作製方法であって、同一面側に有機絶縁膜からなる有機絶縁膜領域と無機絶縁膜からなる無機絶縁膜領域とを有する該電極基板において、該有機絶縁膜領域および該無機絶縁膜領域に接して透明導電膜を形成し、該有機絶縁膜領域に接する該透明導電膜の結晶粒径を20nm以上50nm以下にする工程と、該有機絶縁膜領域および該無機絶縁膜領域に接する該透明導電膜を同時にエッチングする工程と、を包含する電極基板の作製方法。

IPC (4件)：

H01B 13/00 503 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 310

FI (4件)：

H01B 13/00 503 D ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 310