特許
J-GLOBAL ID：200903086600927440
窒化物半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265787
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076522
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】窒化ガリウム系半導体材料を用いた半導体レーザのしきい値電流密度を低減すること。【解決手段】低転位n-GaN基板21上に、n型クラッド層22と、In<SB>x</SB>Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-x-y</SB>N(0<x<1、0≦y≦0.2)発光層を含む多重量子井戸層24と、を含む窒化ガリウム系半導体層が積層した構造を有し、量子井戸一個あたりのしきい値モード利得が12cm<SP>-1</SP>以下であり、発光層のバンドギャップエネルギーの微視的揺らぎの標準偏差が75〜200meVであることを特徴とする窒化物半導体レーザ。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系材料またはサファイアからなる基板上に、クラッド層と、In<SB>x</SB>Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-x-y</SB>N(0<x<1、0≦y≦0.2)発光層を含む量子井戸構造の活性層と、を含む窒化ガリウム系半導体層が積層した構造を有し、量子井戸一個あたりのしきい値モード利得が12cm<SP>-1</SP>以下であり、前記発光層のバンドギャップエネルギーの微視的揺らぎの標準偏差が75〜200meVであることを特徴とする窒化物半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073BA06
, 5F073CA17
, 5F073CB05
, 5F073DA07
, 5F073DA21
, 5F073EA23
