特許

J-GLOBAL ID：200903086606297871

転写マスクの製造方法及びそれにより得られた転写マスク

発明者： 内川 清
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 渡部 温 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-260584
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075836
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 SOIウエハを用いた転写マスクの製造において、パターン欠陥の発生を抑制することができる転写マスクの製造方法及びそれにより得られた転写マスクを提供すること。【解決手段】 シリコンウエハの一方の主面上にシリコン酸化膜を介してSOI活性層を設けてなるSOI基板を用いて転写マスクを形成する転写マスクの製造方法であって、SOI活性層に対してパターニングを行い、パターニングされたSOI活性層を含むSOI基板上に応力解放抑制層を形成し、シリコンウエハの他方の主面側からシリコンウエハをパターニングしてシリコン酸化膜を部分的に露出させ、シリコン酸化膜上に応力解放抑制層が形成されている状態で、シリコン酸化膜を除去した後に、応力解放抑制層を除去する。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハの一方の主面上にシリコン酸化膜を介してSOI活性層を設けてなるSOI基板を用いて転写マスクを形成する転写マスクの製造方法であって、前記SOI活性層に対してパターニングを行う工程と、パターニングされたSOI活性層を含むSOI基板上に応力解放抑制層を形成する工程と、前記シリコンウエハの他方の主面側から前記シリコンウエハをパターニングして前記シリコン酸化膜を部分的に露出させる工程と、前記シリコン酸化膜上に前記応力解放抑制層が形成されている状態で、前記シリコン酸化膜を除去した後に、前記応力解放抑制層を除去する工程と、を具備することを特徴とする転写マスクの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

G03F 1/16 B ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 541 S ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/302 Z ,  H01L 21/302 N

Fターム (14件)：

2H095BA08 ,  2H095BB37 ,  2H095BC08 ,  2H095BC24 ,  5F004BA20 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004EA10 ,  5F004EA23 ,  5F004EB07 ,  5F056AA22 ,  5F056FA05