特許

J-GLOBAL ID：200903086606735275

半導体メモリ集積回路

発明者： 田中 寿実夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-205596
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025286
出願日： 2000年07月06日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 高速データセンスを可能とした半導体メモリ集積回路を提供する。【解決手段】 不揮発性のメモリセルMCを持つメモリセルアレイ1と、参照セルアレイ2を有し、参照セルアレイ2のメモリセルMCには、データ“1”状態(電流引き込みがある状態)に書かれている。データ線DL,参照データ線RDLは伝達トランジスタQN1,QN2を介してセンスアンプ回路5のセンスノードSA,参照センスノードRSAに接続される。センスノードSA及び参照センスノードRSAには負荷用PMOSトランジスタQP1,QP2が接続されている。データ線DL及び参照データ線RDLには、負荷用PMOSトランジスタQP1,QP2と共にカレントミラーを構成する充電用PMOSトランジスタQP3,QP4が設けられている。

請求項（抜粋）：

電流引き込みの有無によりデータを記憶するメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、このメモリセルアレイのデータが転送されるデータ線と、このデータ線の電位が伝達用NMOSトランジスタを介して伝達されるノードと、このノードと電源との間に設けられた、ダイオード接続された負荷用PMOSトランジスタと、前記データ線と電源との間に設けられてゲートが前記ノードに接続された充電用PMOSトランジスタとを備えたことを特徴とする半導体メモリ集積回路。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

G11C 17/00 634 D ,  H01L 27/04 G

Fターム (10件)：

5B025AA03 ,  5B025AD06 ,  5B025AD11 ,  5B025AE05 ,  5F038BB01 ,  5F038BG03 ,  5F038BG06 ,  5F038BG07 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20