特許
J-GLOBAL ID：200903086607604611
電子デバイスの製造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-260458
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206065
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【構成】 本件発明は、集積回路の製造、特に導電性領域を含む集積回路の製造に係る。本件発明においては、触媒表面としてパラジウムシリサイドが用いられ、シリサイドが存在する領域にのみ同メッキが起こるように無電解メッキ層が用いられる。【効果】 本件発明に従うと、集積回路中の選択的なメタライゼーションが、銅メッキプロセスを通じて適切に実現することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に層を形成し、該層を通して該基板に開口を形成し、該開口の底部に配置された領域中の該基板上に、金属シリサイドの領域を形成し及び該シリサイド上に銅材料をメッキする工程からなるデバイスの製造プロセス。
IPC (3件)：
H01L 21/288
, H01L 21/28 301
, H01L 21/90
