特許

J-GLOBAL ID：200903086607954418

半導体レーザ素子

発明者： 瀧本 真恵 ,  田中 俊明 ,  柳澤 浩徳
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-256718
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111367
出願日： 1993年10月14日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【構成】引張又は圧縮歪を導入した歪単一あるいは歪多重量子井戸構造活性層を有した半導体レ-ザにおいて、歪量子井戸構造を低閾値動作に向けて最適化するとともに、導入する格子歪の符号や歪量さらに量子井戸幅に応じて、素子の共振器長や端面反射率を設定して偏波強度を大きくする。【効果】歪多重量子井戸構造レ-ザでは、室温における相対偏波強度比(ITM-ITE/ITM+ITE)は共振器長が短くなるにつれて相対偏波強度が強くなり、共振器長200μmの素子で相対強度比は0.9〜0.95の高い値が得られた。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた禁制帯幅の大きい光導波層と前記光導波層によって挾まれた禁制帯幅の小さい活性層を有する異種接合構造半導体のレーザ素子において、前記活性層を構成する結晶格子に対して引張あるいは圧縮歪を導入した歪量子井戸構造を設定し、前記レーザ素子における共振器端面の前面と後面の反射率をそれぞれRf,Rrとして共振器長をLとしたときに、前記量子井戸層に引張歪を導入したときには素子の共振器長を同じ発振波長を有する無歪量子井戸層の素子より短くして10cm-1≦ln〔1/(RfRr)〕/(2L)≦40cm-1の範囲にある関係を有し、あるいは量子井戸層に圧縮歪を導入したときには素子の共振器長を同じ発振波長を有する無歪量子井戸層の素子より長くして2cm-1≦ln〔1/(RfRr)〕/(2L)≦15cm-1の範囲にある関係を有することを特徴とする半導体レーザ素子。