特許

J-GLOBAL ID：200903086610788332

絶縁膜の形成方法

発明者： 篠原 理華 ,  工藤 寛 ,  中野 元雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-152535
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343390
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 弗素樹脂による絶縁膜の形成方法に関し、配線段差に対して良好な平坦性を維持することを可能にすることを目的とする。【構成】 減圧した反応系内に一般式C1 Fm Hn (1=1〜6,m=1〜14,n=0〜12)で示される化合物ガスまたは該化合物ガスとH2 ガスを導入し、該反応系に電圧を印加して該導入ガス内に放電を生成せしめ、該放電による該導入ガスのプラズマ重合により基板1上に弗素樹脂膜4を形成した後、該基板1を、該弗素樹脂4のガラス転位温度よりも高く、且つ該弗素樹脂の分解温度よりも低い温度で加熱処理するように構成する。

請求項（抜粋）：

減圧した反応系内に一般式C1 Fm Hn (1=1〜6,m=1〜14,n=0〜12)で示される化合物ガスまたは該化合物ガスとH2 ガスを導入し、該反応系に電圧を印加して該導入ガス内に放電を生成せしめ、該放電による該導入ガスのプラズマ重合により基板1上に弗素樹脂膜4を形成した後、該基板1を、該弗素樹脂4のガラス転位温度よりも高く、且つ該弗素樹脂の分解温度よりも低い温度で加熱処理することを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  C07C 9/00 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/90