特許
J-GLOBAL ID：200903086614925830
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-270864
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109977
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 多端子で、回路部分の面積の小さなICチップの空きスペースをなくすとともに、多様な種類のICチップからなる半導体装置を得る。【構成】 ワイヤボンディングパッド1とICチップAを接続するためのパッド2が設けられ、このパッド2上に貴金属からなるバンプ3をその厚みを10μm以下に形成したICチップBと、パッド2に対応するパッド5が設けられたICチップAとを有し、ICチップAのパッド5をバンブ3を介してICチップBのパッド2に熱圧着したことを特徴としている。【効果】 多端子で、かつ回路部分の小さなICチップ上の空きスペースを効果的になくすことができ、同種,または異種のICチップの複合化が容易となる。
請求項（抜粋）：
周縁部にパッドが形成された少なくとも1個のICチップAと、このICチップAの前記パッドの各々またはその一部のパッドに対応して重ね合う位置にパッドをもち、かつワイヤボンドのために十分な大きさのワイヤボンディングパッドを周縁部にもつICチップBとが、前記ICチップAのパッドとICチップBのパッドのいずれか一方、もしくは双方のパッド上に形成された貴金属からなるバンプにより熱圧着されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
