特許
J-GLOBAL ID：200903086615852969
プラズマ装置およびこれを用いたプラズマ処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-027286
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221078
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【構成】 プロセス・チャンバの頂部領域にヘリコン波プラズマ生成部、その下流側の領域にICP生成部を設け、前者におけるループ・アンテナ2と、後者におけるマルチターン・アンテナ11とに共通のプラズマ励起用RF電源19から制御手段を介してソース・パワーを供給する。これにより、ベルジャ1から拡散してくるヘリコン波プラズマPH と、誘導結合放電により新たに解離されて生成した誘導結合プラズマPI とを共存させてプラズマ処理を行う。【効果】 イオン/ラジカル生成比の制御が可能となり、より高精度なプラズマ処理を行うことが可能となる。このため、ドライエッチングに適用すれば、イオン・アシスト機構を有効に機能させ、良好な高速異方性加工を行える。
請求項（抜粋）：
基板を収容する高真空容器と、第1の高周波アンテナと磁界生成手段とにより周回され、かつ前記高真空容器に接続されるプラズマ生成チャンバを有し、該高真空容器内にヘリコン波プラズマを供給するヘリコン波プラズマ生成部と、前記高真空容器を周回する第2の高周波アンテナを有し、該高真空容器内に誘導結合プラズマを生成させる誘導結合プラズマ生成部と、前記ヘリコン波プラズマ生成部と前記誘導結合プラズマ生成部の動作を制御する制御手段とを備えるプラズマ装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/302
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 Z
, H01L 21/302 G
