特許

J-GLOBAL ID：200903086622372824

希土類磁石合金粉末および異方性ボンド磁石の製造方法

発明者： 岩崎 克典 ,  遠藤 実 ,  徳永 雅亮
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
代理人 (1件)： 大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-241251
公開番号（公開出願番号）：特開平7-090308
出願日： 1993年09月28日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：

【要約】【目的】 水素吸蔵および脱水素処理を行う工程のうち、脱水素処理を特定の速度の下で行うことによって磁気特性および品質の優れた希土類磁石合金粉末を容易かつ安定に得る。【構成】 平均結晶粒径が0.02〜5μmのR2T14B(R:Yを含む希土類元素、T:遷移金属)を主成分とする微細結晶粒の集合体でRを25〜35wt%、Bを0.5〜1.5wt%、Coを3〜20wt%、Ga、Zr、Nb、Hf、Ta、Al、Si、Vのうち一種あるいは二種以上の組合せでその合計が0.05〜5wt%、残部Feおよび不可壁不純物からなる組成を有する希土類磁石合金粉末の製造方法において、水素吸蔵および脱水素処理を行い再結晶反応を生じさせる工程のうち、脱水素工程でyを真空度(Torr)、xを脱水素処理時間(秒)としたときxが60〜1000秒の範囲内においてy=AxZ(ただし-0.70≦Z≦-0.30)なる指数関数の下で脱水素を行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

平均結晶粒径が0.02〜5μmのR2T14B(R:Yを含む希土類元素、T:遷移金属)を主成分とする微細結晶粒の集合体でRを25〜35wt%、Bを0.5〜1.5wt%、Coを3〜20wt%、Ga、Zr、Nb、Hf、Ta、Al、Si、Vのうち一種あるいは二種以上の組合せでその合計が0.05〜5wt%、残部Feおよび不可壁不純物からなる組成を有する希土類磁石合金粉末の製造方法において、水素吸蔵および脱水素処理を行い再結晶反応を生じさせる工程のうち、脱水素工程でyを真空度(Torr)、xを脱水素処理時間(秒)としたときxが60〜1000秒の範囲内においてy=AxZ(ただし-0.70≦Z≦-0.30)なる指数関数の下で脱水素を行うことを特徴とする希土類磁石合金粉末の製造方法。

IPC (5件)：

B22F 1/00 ,  H01F 1/053 ,  H01F 1/06 ,  H01F 1/08 ,  H01F 7/02

FI (3件)：

H01F 1/04 H ,  H01F 1/06 A ,  H01F 1/08 A