半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金丸章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-184747
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045555
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】ヒロックが生じ難く、且つ、比抵抗:20μΩcm以下であって、アクティブマトリックス型液晶ディスプレイ等の如く薄膜トランジスターが使用される機器での半導体用電極として好適に用い得る半導体用電極及びその製造方法並びに該半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【構成】合金成分としてFe, Co, Ni, Ru, Rh, Irの1種又は2種以上を0.1 〜10at% 、又は、希土類元素の1種又は2種以上を0.05〜15at% 含有するAl合金よりなる半導体用電極。上記元素を固溶させたAl合金薄膜の形成後、その固溶元素の一部又は全部を熱処理(温度:150〜600 °C)により金属間化合物として析出させ、電気抵抗値:20μΩcm以下のAl合金薄膜よりなる半導体用電極を得る半導体用電極の製造方法。上記元素を含有するAl合金よりなるターゲット。

請求項（抜粋）：

合金成分としてFe, Co, Ni, Ru, Rh, Irのうちの1種又は2種以上を合計で0.1 〜10at% 含有するAl合金よりなることを特徴とする半導体用電極。

IPC (2件)：

H01L 21/285 , C23C 14/34

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平1-233737
特開平4-056136
特開平1-134426

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