特許

J-GLOBAL ID：200903086629410608

半導体受光素子

発明者： 菅 和彦 ,  池田 英治 ,  森 雅之 ,  神田 裕之
出願人/特許権者： 株式会社日鉱共石
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-283767
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102513
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【構成】 半導体基板上にバッファ層を介して形成された第1の導電型の半導体層からなる光吸収層の上に、該光吸収層よりも禁制帯幅の大きな第1の導電型の半導体層からなるキャップ層が形成されているとともに、該キャップ層の一部には第2の導電型の拡散領域が形成され、この拡散領域の表面には電極が接触されているとともに、上記半導体基板の裏面には光が入射可能な窓部が形成されてなる受光素子において、上記光吸収層とバッファ層との間には拡散領域の外側を覆うように半導体多層膜からなる光反射層を形成するようにした。【効果】 光反射層が受光部としての空乏層の外側の光吸収層に光が入射するのを抑えて、空乏層から離れた領域で電子-正孔対が発生するのを防止できるため、光電流波形の立下りが急峻となり、高速応答が可能なPINフォトダイオードを得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にバッファ層を介して形成された第1の導電型の半導体層からなる光吸収層の上に、該光吸収層よりも禁制帯幅の大きな第1の導電型の半導体層からなるキャップ層が形成されているとともに、該キャップ層の一部には第2の導電型の拡散領域が形成され、この拡散領域の表面には電極が接触されて、上記半導体基板の裏面には光が入射可能な窓部が形成されてなる半導体受光素子において、上記光吸収層とバッファ層との間には拡散領域の外側を覆うように半導体多層膜からなる光反射層を形成してなることを特徴とする半導体受光素子。