黒鉛ルツボおよびこれを用いてチョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-099046
公開番号（公開出願番号）：特開平9-263490
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 CZ法による単結晶の酸素濃度の制御技術として、従来にない新たな制御技術を提供する、特に近年用いられる熱遮蔽部材による制約を受けることなく、かつ簡単で確実に制御することができる技術を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する際に用いられる黒鉛ルツボであって、該黒鉛ルツボの円筒部の肉厚が鉛直方向で一定でない、あるいは、該黒鉛ルツボの円筒部の一部に鉛直方向にそって減肉部を有する、ことを特徴とするチョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する際に用いられる黒鉛ルツボ。および、上記黒鉛ルツボを用いる、ことを特徴とするチョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する方法。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する際に用いられる黒鉛ルツボであって、該黒鉛ルツボの円筒部の肉厚が鉛直方向で一定でない、ことを特徴とするチョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する際に用いられる黒鉛ルツボ。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/10 , H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/06 502 B , C30B 15/10 , H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平1-294600
特開昭61-026593
特開昭60-021899

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