特許

J-GLOBAL ID：200903086635084496

半導体記憶装置

発明者： 近江谷 厚生 ,  金子 優 ,  石橋 謙一 ,  岩渕 勝
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立北海セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-234272
公開番号（公開出願番号）：特開平6-060678
出願日： 1992年08月10日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 メモリセルの読み出し終了タイミングを正確に検出できる機能を付加した半導体記憶装置を提供する。【構成】 メモリアレイのワード線の選択レベルに対して高いしきい値電圧を持つようにされたダミーセルに対して、メモリアレイと選択動作に同期して選択するダミー選択回路を通して読み出し電流を供給するソース入力の増幅MOSFETを含む初段増幅回路を設け、この増幅MOSFETのドレイン出力に基づいて読み出し終了のタイミング信号を発生させる。【効果】 ダミーセルが接続されたデータ線のプリチャージ電流が流れなくなることに応じて、増幅MOSFETのドレイン出力が負荷により電源電圧まで高くなるので簡単に読み出し完了タイミングを知ることができる。

請求項（抜粋）：

ワード線の選択レベルに対して低いしきい値電圧か高いしきい値電圧かを持つようにされた記憶素子がワード線とデータ線の交点にマトリックス配置されてなるメモリアレイと、上記ワード線の選択レベルに対して高いしきい値電圧を持つようにされたダミーセルと、上記ダミーセルを上記メモリアレイと選択動作に同期して選択するダミー選択回路と、このダミー選択回路を通してダミーセルに対して読み出し電流を供給するソース入力の増幅MOSFETを含む初段増幅回路と、この増幅MOSFETのドレイン出力に基づいて読み出し終了のタイミング信号を発生させる回路とを備えてなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/06 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

G11C 17/00 309 B ,  H01L 29/78 371