特許
J-GLOBAL ID：200903086636307740
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-083099
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280470
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】小型化及び製造を容易にできる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ヨーレートセンサ1は、シリコン基板2上にセンシング部3を備え、センシング部3を囲むように、封止用接合壁15が形成されている。封止用接合壁15には、孔16が形成されている。封止用接合壁15の外側に電極パッド7,10,13が設けられ、センシング部3の電気信号が電極パッド7,10,13に取り出されるように構成されている。封止用接合壁15の上面には、カバー部材17が低融点ガラス19を介して接合されている。カバー部材17の上部には蒸着層20が形成され、蒸着層20と同じ金属で形成された蒸着封止部20aにより孔16が真空封止され、真空チップパッケージ21を備えたヨーレートセンサ1が構成されている。
請求項（抜粋）：
基板上にデバイスが形成され、前記基板とともに前記デバイスを収容する空間を形成するカバー部材を備え、前記空間を真空状態で封止した真空チップパッケージを備えた半導体装置において、基板上に形成された壁に孔を形成し、前記壁の上にカバー部材を接合し、前記空間を真空状態にして前記孔の外側を封止材で封止したことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/02
, B81B 3/00
, B81C 3/00
, G01P 15/00
, G01P 15/125
H01L 23/02 B
, B81B 3/00
, B81C 3/00
, G01P 15/125
, G01P 15/00 J
