特許
J-GLOBAL ID：200903086636571811
吸収型回折格子の形成方法、およびその回折格子を利用した利得結合型DFBレーザの作製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-355728
公開番号（公開出願番号）：特開平10-186121
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月14日
要約：
【要約】【課題】吸収領域が連続的でなく離散的に形成された吸収型回折格子の形成方法及び利得結合型DFBレーザの作製法である。【解決手段】吸収型回折格子の形成方法は、第1の半導体1、2上に、第1の半導体1、2とは組成の異なる半導体単層膜3または第1の半導体1、2と組成の異なる半導体層を一部に有する半導体多層膜を形成する工程と、単層膜3または多層膜をエッチングし回折格子4を作製する工程と、回折格子4上に吸収領域となる半導体膜6を形成する工程と、回折格子4の高さ5を低減する工程を有する。
請求項（抜粋）：
第1の半導体上に、第1の半導体とは組成の異なる半導体単層膜または第1の半導体と組成の異なる半導体層を一部に有する半導体多層膜を形成する工程と、該単層膜または多層膜をエッチングし回折格子を作製する工程と、該回折格子上に吸収領域となる半導体膜を形成する工程と、該回折格子の高さを低減する工程を有することを特徴とする吸収型回折格子の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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