特許

J-GLOBAL ID：200903086639179980

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 北島 洋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-243378
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082550
出願日： 1991年09月24日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 トランジスタの漏れ電流を減少させ、また特性の均一化を向上させる。【構成】 MOS型薄膜トランジスタにおいて、活性領域となる多結晶シリコン膜305のうち、ゲート電極303に接していない部分をシリコン注入によって一度非晶質化し、熱処理によって再結晶化する。

請求項（抜粋）：

シリコンイオンの注入工程と熱処理工程とを有する薄膜トランジスタの製造方法であって、シリコンイオンの注入工程は、薄膜トランジスタのチャンネルが形成されるシリコン薄膜のうち、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に接している部分以外のシリコン薄膜にシリコンイオンを注入してこれを非晶質化する工程であり、熱処理工程は、前記非晶質化領域を熱処理によって結晶化する工程であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 21/265 Q