特許

J-GLOBAL ID：200903086640976605

シリサイドの成膜方法

発明者： 小松 裕司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147813
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343352
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 下地層とシリサイド膜との界面に不純物の混入がなく、下地層との密着性の良いシリサイドの成膜を達成する。【構成】 ゲート酸化膜13上にポリシリコン膜14を形成し、その上にポリシリコン薄膜15などのシード層を介してWSiX膜16を堆積させる。ポリシリコン膜14の表面の自然酸化膜が内部に埋込まれ、WSiX膜16との界面は理想的な状態となり、WSiX膜16の密着性が向上し、ポリサイドの低抵抗化が達成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にシリサイド膜を堆積させるシリサイドの成膜方法において、ポリシリコン又はアモルファスシリコンで成る薄いシード層を堆積させた後、引き続いて連続的にシリサイド膜を堆積させることを特徴とするシリサイドの成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 G