特許
J-GLOBAL ID：200903086646663773
半導体発光素子
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
細田 益稔
, 青木 純雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-076818
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288757
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】半導体発光素子の発光効率を向上させる。【解決手段】半導体発光素子10は、基板1、基板1上にエピタキシャル成長した第一の窒化物半導体からなる下地層2、および下地層2上に設けられた第二の窒化物半導体からなる発光層5を備えている。第一の窒化物半導体においてIII属元素の含有量の合計に対するAl含有量が50原子%以上であり、転移密度が1011/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅が200sec以下である。第二の窒化物半導体が、希土類元素および遷移金属元素からなる群より選ばれた一種以上の元素を添加元素として含んでいる。発光層が1300°C以上の温度で熱処理されている。第二の窒化物半導体において、III属元素の含有量の合計に対するAl含有量が20原子%以上である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板、前記基板上にエピタキシャル成長した第一の窒化物半導体からなる下地層、およびこの下地層上に設けられた第二の窒化物半導体からなる発光層を備えている半導体発光素子であって、
前記第一の窒化物半導体においてIII属元素の含有量の合計に対するAl含有量が50原子%以上であり、転移密度が1011/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅が200秒以下であり、前記第二の窒化物半導体が、希土類元素および遷移金属元素からなる群より選ばれた一種以上の元素を添加元素として含んでおり、前記発光層が1300°C以上の温度で熱処理されており、前記第二の窒化物半導体において、III属元素の含有量の合計に対するAl含有量が20原子%以上であることを特徴とする、半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L33/00
, C23C16/34
, H01L21/205
H01L33/00 C
, C23C16/34
, H01L21/205
4K030AA06
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA02
, 4K030BA38
, 4K030BA59
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030DA09
, 4K030JA10
, 4K030LA14
, 4K030LA18
, 5F041AA03
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA67
, 5F041CA73
, 5F045AA04
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC19
, 5F045AD14
, 5F045AF05
, 5F045AF09
, 5F045BB16
, 5F045CA10
, 5F045DA52
