特許
J-GLOBAL ID：200903086648205667
半導体装置および半導体装置を製造する方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186957
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082815
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 ソース・ドレイン領域の占有面積が小さい半導体装置およびそれを製造する方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、素子分離領域と活性領域を有する半導体装置であって、活性領域とゲート酸化膜が接する第1の面より上に、ソース領域およびドレイン領域の一部が存在し、該ソース領域および/または該ドレイン領域と、該ソース領域および/または該ドレイン領域に電気的に接続される電極とが接する第2の面が、該第1の面に対して傾いている。
請求項（抜粋）：
素子分離領域と活性領域を有する半導体装置であって、活性領域とゲート酸化膜が接する第1の面より上に、ソース領域およびドレイン領域の一部が存在し、該ソース領域および/または該ドレイン領域と、該ソース領域および/または該ドレイン領域に電気的に接続される電極とが接する第2の面が、該第1の面に対して傾いている半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 P
, H01L 29/78 301 S
