特許

J-GLOBAL ID：200903086650804616

研磨方法及びそれを用いた研磨装置

発明者： 乳井 勝 ,  伴 箕▲吉▼ ,  高橋 一雄
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-139613
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298176
出願日： 1996年05月09日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 化学的機械的研磨で誘電体層を積層したウエハの表面の平坦化を図る際の研磨終了点を適切に判断し、良好に平坦化された半導体デバイスが得られる研磨方法及びそれを用いた研磨装置を得ること。【解決手段】 基板面に設けた膜層の表面をそれよりも小さな面積の研磨パッドを有する研磨手段で双方を相対的に駆動させて研磨する研磨方法において、該研磨手段の一部に設けた検出手段で該膜層の表面情報を求め、該検出手段からの信号に基づいて制御手段で該膜層の研磨の続行又は停止を制御していること。

請求項（抜粋）：

基板面に設けた膜層の表面をそれよりも小さな面積の研磨パッドを有する研磨手段で双方を相対的に駆動させて研磨する研磨方法において、該研磨手段の一部に設けた検出手段で該膜層の表面情報を求め、該検出手段からの信号に基づいて制御手段で該膜層の研磨の続行又は停止を制御していることを特徴とする研磨方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04

FI (4件)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 E ,  B24B 37/00 F ,  B24B 37/04 D