特許

J-GLOBAL ID：200903086651351399

半導体装置

発明者： 安 昇 晧
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 三好 保男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-295733
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235226
出願日： 1992年11月05日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、実装密度ならびに放熱効率をともに向上させた半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、複数の半導体チップ39,45が実装されて、胴体の側部に階段状に形成された溝の端部35,37に配置された基板41,47から発生する熱を、胴体の側部に設けられた放熱チャンネル33,34を流れる冷媒により放熱させるように構成される。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つ以上の半導体チップが実装される基板を有する半導体装置において、上記半導体装置の表面から段差を持つ階段形状の溝の端部を持つ胴体と、上記端部の表面に形成される電極及び第1放熱チャンネルと、上記胴体の内部に形成され上記第1放熱チャンネルと相互連結される第2放熱チャンネルと、上記胴体の内部を通って上記電極を相互連結させる信号線と、上記第1放熱チャンネルと上記電極が形成された端部の表面に各々接続され、半導体チップを実装した基板と、上記溝が形成された上記胴体の表面に固着され、上記信号線と接続される基板とを有することを特徴とする半導体装置。