特許
J-GLOBAL ID：200903086657397862
レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-212060
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129573
出願日： 1996年07月22日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【目的】 レーザー光の照射による半導体に対するアニール効果を高める。【構成】 台形状のビームプロファイルを有したレーザー光を相対的に1方向に走査しながら照射することによって、半導体に対するアニール効果を高める。特にL1、L2、L3の関係を規定することにより、その効果を高いものとする。
請求項（抜粋）：
パルスレーザーを光源とした線状レーザービームを、半導体被膜よりなる被照射面に照射するに際し、線状レーザービームの焦点における線幅方向のエネルギー分布は、最大エネルギーを1として、エネルギーが0. 95であるところのビーム幅をL1とし、エネルギーが0. 70であるところのビーム幅を、L1+L2(線幅の一方)+L3(線幅の他方)としたとき、不等式0. 5L1≦L2≦L1、0.5L1≦L3≦L1を満たし、焦点深度が±約400μm以内であることを特徴とするレーザーアニール方法。
IPC (9件)：
H01L 21/268
, G02B 3/00
, G02B 3/06
, G02B 19/00
, H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01S 3/0979
H01L 21/268 Z
, G02B 3/00 A
, G02B 3/06
, G02B 19/00
, H01L 21/20
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 627 G
, H01S 3/097 F
