特許

J-GLOBAL ID：200903086657397862

レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置

発明者： 山崎 舜平 ,  楠本 直人 ,  田中 幸一郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-212060
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129573
出願日： 1996年07月22日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【目的】 レーザー光の照射による半導体に対するアニール効果を高める。【構成】 台形状のビームプロファイルを有したレーザー光を相対的に1方向に走査しながら照射することによって、半導体に対するアニール効果を高める。特にL1、L2、L3の関係を規定することにより、その効果を高いものとする。

請求項（抜粋）：

パルスレーザーを光源とした線状レーザービームを、半導体被膜よりなる被照射面に照射するに際し、線状レーザービームの焦点における線幅方向のエネルギー分布は、最大エネルギーを1として、エネルギーが0. 95であるところのビーム幅をL1とし、エネルギーが0. 70であるところのビーム幅を、L1+L2(線幅の一方)+L3(線幅の他方)としたとき、不等式0. 5L1≦L2≦L1、0.5L1≦L3≦L1を満たし、焦点深度が±約400μm以内であることを特徴とするレーザーアニール方法。

IPC (9件)：

H01L 21/268 ,  G02B 3/00 ,  G02B 3/06 ,  G02B 19/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01S 3/0979

FI (8件)：

H01L 21/268 Z ,  G02B 3/00 A ,  G02B 3/06 ,  G02B 19/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G ,  H01S 3/097 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-142370
  
• 特開平3-286518
  
• 特開昭64-076715