面入出力光電融合素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-034754
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240506
出願日： 1991年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】ラッチなどの機能をもち、pnpn構造を有する面入出力光電融合半導体素子において高速スイッチ動作と高発光効率とを可能にする。【構成】 pnpn構造の中に半導体活性層15を有し、その活性層を半導体多層膜11、19の反射鏡ではさんだ構成である。さらにプロトンの注入により半導体層内部に選択的に高抵抗領域30、31を形成し、発光領域以外の活性層15を高抵抗化するとともに、ゲート層17は導電性を保ちアクセスする電流経路を備え、ゲート電極28、29を有する。【効果】発光効率が改善され低しきい値化できるとともに高速スイッチオンオフができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、順に形成された、第1導電型の第1の半導体層、前記第1導電型とは逆の第2導電型の第2の半導体層、半導体活性層、第1導電型の第3の半導体層、第2導電型の第4の半導体層とを少なくとも備え、前記第2及び第3の半導体層の禁制帯幅は前記半導体活性層の禁制帯幅より大きく、該第2の半導体層の禁制帯幅は前記第1の半導体層の第2の半導体層と接する部分の半導体層の禁制帯幅より小さく、該第3の半導体層の禁制帯幅は前記第4の半導体層の第3の半導体層と接する部分の半導体層の禁制帯幅より小さく、前記第4の半導体層の一部が除去されて第3の半導体層が露出した開口部があり、該開口部の下の前記半導体活性層が高抵抗化されていることを特徴とする面入出力光電融合素子。

IPC (6件)：

H01L 27/15 , H01L 29/74 , H01L 31/12 , H01L 33/00 , H01L 31/10 , H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 29/74 E , H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-241294
特公昭55-022318

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