半導体パワーモジュール及びこれを用いたインバータ装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-196970
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031325
出願日： 1998年07月13日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】半導体パワーモジュールのスイッチング動作時に、スッチングに伴ってグランド面の電位の変動を抑制し、グランドを共通としている他の電子回路を有する制御装置の誤動作を抑制する。【解決手段】半導体パワーモジュールの絶縁性基板の内部又は半導体素子が搭載されていない面に、グランド以外の導電層を設け、半導体パワーモジュールのエミッタ回路及びコレクタ回路とグランドとの間での共振回路を無くすることで、変位電流がグランドに流れず、電気的に安定したグランドが得られる。

請求項（抜粋）：

ベース基板と、該ベース基板の一方の面に絶縁性基板を有し、該絶縁性基板の一方の面に複数の配線回路を形成し、該配線回路の内、少なくとも、1つの配線回路上に、複数の半導体素子を搭載し、該配線回路は、外部接続端子と電気的に接続され、該絶縁性基板の半導体素子が搭載されていない面は、ベース基板に接合された半導体モジュールにおいて、前記絶縁基板の内部又は半導体素子が搭載されていない表面に、グランド電位とは異なる電位の導電層を設けたことを特徴とする半導体パワーモジュール。

IPC (5件)：

H01L 23/12 , H01L 23/48 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H02M 7/5387

FI (5件)：

H01L 23/12 E , H01L 23/48 G , H02M 7/5387 Z , H01L 23/12 N , H01L 25/04 C

Fターム (7件)：

5H007AA06 , 5H007BB06 , 5H007CA01 , 5H007CB05 , 5H007CC07 , 5H007HA03 , 5H007HA04

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