特許
J-GLOBAL ID:200903086679584950

多層フィルムの応力により生じる光学素子の変形を調節する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-532776
公開番号(公開出願番号):特表2002-504715
出願日: 1999年02月17日
公開日(公表日): 2002年02月12日
要約:
【要約】多層フィルムの応力を打ち消す為に、基板と多層フィルムの間に設ける緩衝層。十分な大きさであって、符号が反対の応力をもつ緩衝層を設けると、多層フィルムの応力による基板の変形が減少するか、もしくは相殺される。基板と多層フィルムの間に緩衝層を設けることにより、調整可能なゼロに近い正味応力が得られ、その結果、極端紫外(EUV)リソグラフィーツール用の光学素子のような基板が、殆ど、もしくは全く変形しなくなる。例えば、Mo/Si多層フィルム、及びMo/Be多層フィルムと、それらの基板との間に緩衝層を設けて応力を著しく低下させた。この場合、応力の大きさは100MPa未満であり、またそれぞれ13.4nm、及び11.4nmで、近垂直入射(5°)反射率が60%を越える。本発明は、結晶性の物質、及び非結晶性の物質に適用可能であり、しかも周囲温度で用いることができる。
請求項(抜粋):
反射率を5%より多く低下させずに多層フィルムの応力の大きさを調節するか、または小さくするための手段であって、多層フィルムと基板の中間に設けられた緩衝層からなる手段、を含んでなる、高反射率物質の多層フィルム及び基板。
IPC (3件):
G02B 5/28 ,  G02B 5/26 ,  G21K 1/06
FI (4件):
G02B 5/28 ,  G02B 5/26 ,  G21K 1/06 B ,  G21K 1/06 C
Fターム (8件):
2H048GA07 ,  2H048GA09 ,  2H048GA18 ,  2H048GA19 ,  2H048GA32 ,  2H048GA33 ,  2H048GA60 ,  2H048GA61

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