特許
J-GLOBAL ID：200903086684666573
磁気抵抗効果素子およびその製造方法とその素子を備えた磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-248382
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098219
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、耐食性に優れ、高い抵抗変化率を得ることができるとともに、角形比が良好で低磁界域での抵抗変化率が大きく、層厚を小さくできる磁気抵抗効果素子とその製造方法およびそれを用いた磁気ヘッドを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、少なくとも2層の強磁性層32、34が、非磁性層33を介して設けられ、前記強磁性層のうち、一方が、その強磁性層と隣接して設けられた反強磁性体の保磁力増大層31により保磁力が大きくされて磁化反転がピン止めされ、他方の強磁性層34がその磁化反転を自由にされてフリー強磁性層とされてなり、前記保磁力増大層31のスピンの向きが層状に揃えられて保磁力増大層31の面方向にほぼ平行に配向されてなる。
請求項（抜粋）：
少なくとも2層の強磁性層が、非磁性層を介して設けられ、前記強磁性層のうち、一方が、その強磁性層と隣接して設けられた反強磁性体の保磁力増大層により保磁力が大きくされて磁化反転がピン止めされ、他方の強磁性層がその磁化反転を自由にされてフリー強磁性層とされてなり、前記保磁力増大層のスピンの向きが層状に揃えられて保磁力増大層の面方向にほぼ平行に配向されてなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/08
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/08
