特許
J-GLOBAL ID：200903086686183553
プラズマCVDによる薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保田 耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-320031
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168885
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：
【要約】【目的】 薄膜内に不純物や欠陥が少なく膜質均一な薄膜を簡便に製膜できると共に、適用された装置内の腐食、劣化を抑えられるプラズマCVDによる薄膜形成方法を提供すること。【構成】 密閉された製膜室11内に原料ガスを供給しこれをプラズマ化して基板14上に単結晶シリコン等の薄膜を製膜する方法であって、製膜室11の内壁面や内部治具表面をシリコン、炭素及び炭化シリコンより選択された耐腐食性の材料被膜で被覆すると共に、製膜工程途中において上記原料ガスの供給を停止することなく製膜室11内を排気して製膜中に発生した粉状の浮遊異物を排除する排気工程を付加したことを特徴とする。そして排気工程中、製膜処理は中断することなく継続しているため膜特性の異なる界面が薄膜内に形成されなくなり、かつ、浮遊異物も排除されこの浮遊異物が製膜途上の薄膜内に混入される可能性も少なくなる。
請求項（抜粋）：
密閉された製膜室内に原料ガスを供給しこれをプラズマ化して基板上に製膜するプラズマCVDによる薄膜形成方法において、上記原料ガスと接触する製膜室の内壁面及び内部治具表面を、シリコン、炭素、及び、炭化シリコンより選択された材料被膜にて被覆すると共に、製膜工程途中において上記原料ガスの供給を停止することなく製膜室内を排気して製膜中に発生した粉状の浮遊異物を排除する排気工程を付加したことを特徴とするプラズマCVDによる薄膜形成方法。
IPC (2件)：
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