特許

J-GLOBAL ID：200903086688304366

薄膜金属酸化物構造体およびその製造方法

発明者： アイゼンバイザー、カート ,  ファインダー、ジェフリー エム. ,  ラムダーニ、ジャマール ,  ドルーパッド、ラビンドラナス ,  ウームス、ウィリアム ジェイ
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-514770
公開番号（公開出願番号）：特表2004-505444
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

金属酸化物材料の高品質のエピタキシャル層は、シリコンウエハ上に先ず調整バッファ層を成長させることにより、大型のシリコンウエハ上に成長させることが可能である。調整バッファ層は、酸化シリコンの非晶質境界層により、シリコンウエハから間隔をおいた単結晶酸化物の層である。非晶質境界層は歪みを解放し、高品質の単結晶酸化物調整バッファ層を成長させることが可能である。調整バッファ層と下に位置するシリコン基板との間の格子の不整合は、非晶質境界層により調整される。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体基板と、 同単結晶半導体基板上に位置する非晶質層と、 同非晶質層上に位置する、xが0〜1の範囲内である、SrxBa1-xTiO3からなる単結晶層と、 同単結晶層上に位置する単結晶酸化ペロブスカイト層と、からなるペロブスカイト酸化物構造体。

IPC (2件)：

H01L21/316 ,  H01L21/20

FI (2件)：

H01L21/316 M ,  H01L21/20

Fターム (9件)：

5F052EA11 ,  5F052KA02 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF11 ,  5F058BJ01