特許
J-GLOBAL ID：200903086691056799

スルホニウム塩化合物の製造方法

発明者：
高橋 栄治

高橋 栄治 について

, 
白井 明宏

白井 明宏 について


出願人/特許権者：
日本曹達株式会社

日本曹達株式会社 について


代理人 (1件)： 廣田 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232046
公開番号（公開出願番号）：特開2001-055374
出願日： 1999年08月18日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【課題】 スルフィド化合物をアルキル化剤によりアルキル化する工程において副生成物の生成を抑制し、高純度のスルホニウム塩化合物を製造する方法を提供すること。【解決手段】 一般式[2]で表されるスルフィド化合物を、有機酸、リン酸化合物、ホスホン酸及びホスフィン酸から選ばれる一種以上の酸の存在下、アルキル化剤によりアルキル化し、一般式[1]で表わされるスルホニウム塩化合物を合成する。次いで、一般式[1]で表されるスルホニウム塩化合物を塩交換し、一般式[5]で表される、加熱又は光、電子線、X線等の活性エネルギー線照射に官能するカチオン重合開始剤として有用なスルホニウム塩を製造する。【化1】【化2】【化3】
請求項（抜粋）：
一般式[2]で表されるスルフィド化合物を、有機酸、リン酸化合物、ホスホン酸及びホスフィン酸から選ばれる一種以上の酸の存在下、アルキル化剤によりアルキル化することを特徴とする一般式[1]で表わされるスルホニウム塩化合物の製造方法。【化1】【化2】(式[1]及び[2]において、R1及びR3は、互いに独立して、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されていてもよい環状脂肪族基又は置換されていてもよいアリール基を、R2はC1〜8のアルキル基を示す。Zはアルキル化剤残基を示す。)
IPC (5件)：
C07C381/12 ,  B01J 27/16 ,  B01J 27/18 ,  B01J 31/04 ,  C07B 61/00 300
FI (5件)：
C07C381/12 ,  B01J 27/16 X ,  B01J 27/18 X ,  B01J 31/04 X ,  C07B 61/00 300
Fターム (10件)：
4H006AA02 ,  4H006AB40 ,  4H006AC63 ,  4H006BA30 ,  4H006BA35 ,  4H006BA50 ,  4H006BA52 ,  4H006BB17 ,  4H039CA80 ,  4H039CF90
引用特許：
審査官引用 (3件)

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