特許

J-GLOBAL ID：200903086691611075

プラズマ処理方法及びその装置

発明者： 斉藤 裕 ,  鈴木 康道 ,  佐野 秀造 ,  清水 保 ,  相内 進
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-034731
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235396
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】基板と基板に対向する位置に設けた電極との間に、広い領域に渡って高密度のプラズマが発生可能なプラズマ処理装置を提供する。【構成】マイクロ波を用いた放電によりプラズマを発生させ、プラズマ発生部及び基板処理部に磁気装置を用い、発生したプラズマを基板と基板に対向する位置に設けた電極との間で高密度かつ大面積に保持するようにした。【効果】基板を高速に且つ低ダメ-ジで処理でき、生産効率及び材料使用効率及び使用電力効率の向上と素子へのダメージの低減効果がある。

請求項（抜粋）：

マイクロ波発生源で発生したマイクロ波を、基板と対向する位置に設けたマイクロ波導入窓から導入して処理室内にプラズマを発生させ、前記基板上に形成したカスプ磁場で前記プラズマを閉じ込めることにより前記基板に対して処理を行なうことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7件)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/35 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-094524
  
• 特開昭61-194174
  
• 特開昭61-194174
  
• 特公平7-013295